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中茂绿能科技申请基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池专利提高碲化镉薄膜太阳能电池的效率
辉达账号注册国家知识产权局信息显示,中茂绿能科技(西安)有限公司申请一项名为“一种基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法”的专利,公开号CN121692780A,申请日期为2025年7月。
专利摘要显示,本发明公开了基于掺杂碳化锡背接触层的碲化镉薄膜太阳能电池及制备方法,包括依次设置的衬底层、透明导电氧化物薄膜层、高阻缓冲层、窗口层、碲化镉吸收层、背接触层和背电极层;其中,背接触层由β元素掺杂的碳化锡沉积而成;β元素为硼、铝、镓、铟、铊中的一种或几种;以质量比计,β元素掺杂量为0.1~1.0%。本发通过掺杂碳化锡背接触层可以减少空穴在CdTe与金属电极界面处的复合,优化了空穴的收集和传输效率,使碲化镉薄膜太阳能电池的效率得到提高。
天眼查资料显示,中茂绿能科技(西安)有限公司,成立于2021年,位于西安市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13619.437万人民币。通过天眼查大数据分析,中茂绿能科技(西安)有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目11次,财产线条,此外企业还拥有行政许可10个。
声明:市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。
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