晶澳申请太阳能电池的制造方法专利形成氢化氮化硅层辉达平台？国家知识产权局信息显示，晶澳（扬州）太阳能科技有限公司申请一项名为“太阳能电池的制造方法”的专利，公开号CN122892307A，申请日期为2026年7月。

　　专利摘要显示，本公开提供了一种太阳能电池的制造方法。该制造方法包括：提供半导体结构，半导体结构包括半导体衬底、在半导体衬底的第一表面上的第一隧穿氧化层、在第一隧穿氧化层上的第一掺杂多晶材料层和在第一掺杂多晶材料层上的第一掩膜层；去除第一掩膜层的一部分、第一掺杂多晶材料层的一部分和第一隧穿氧化层的一部分，以形成露出半导体衬底的第一表面的一部分的第一开口；在第一掩膜层的剩余部分上以及在第一开口的侧壁和底部上，形成氢化氮化硅层；和对形成氢化氮化硅层后的半导体结构执行退火处理。

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